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[发明专利]一种双管芯的Trench MOSFET及其加工方法-CN201510683826.7有效
发明人：陈虞平;胡兴正;王熹伟;刘海波;孙晓儒 -专利权人：福建省福芯电子科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种双管芯的Trench MOSFET及其加工方法，其中双管芯的Trench MOSFET包括N+衬底层，N+衬底层上设置有N-外延层，N-外延层的中间和两侧分别设置有P-body层，P-body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，第一Trench槽和第二Trench槽之间为不连续的P-body层，第一Trench槽和第二Trench槽贯穿P-body层，第一Trench槽和第二Trench槽内设置有Poly结构，第一Trench槽左侧的P-body层的上部设置有第一Drain区。
一种双管 trench mosfet 及其加工方法

[发明专利]一种SIC DMOS器件结构-CN202111218748.5在审
发明人：张艳旺;钱振华 -专利权人：无锡橙芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种SIC DMOS器件结构，通过在常规trench SIC DMOS基础上增加deep trench，并在deep trench底部做P+注入，然后淀积oxide，回刻oxide，同时注意底部保留较厚的oxide，最后热氧生长gate oxide以及填充poly，淀积ILD及source metal而形成SIC DMOS器件；trench底部的厚oxide以及底部注入的P+都能对trench形成保护，在反向耐压的高场强下，deep trench底部的P+形成耗尽层扩展连接在一起，对中间shallow trench形成电场保护，降低其峰值电场强度，提升器件整体BV稳定性。
一种 sic dmos 器件结构

[发明专利]一种自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构-CN202111201415.1在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明首要解决的技术问题是提出一种新的自对准结构的功率Trench MOSFET，其Trench槽和接触孔(接触沟槽)由一张掩模版确定，能极大地缩小Trench Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距
一种对准功率 trench mosfet 制作方法及其结构

[发明专利]双管芯的Trench MOSFET及其加工方法-CN201510683582.2有效
发明人：胡兴正;陈虞平;王熹伟;刘海波;孙晓儒 -专利权人：福建省福芯电子科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供双管芯的Trench MOSFET及其加工方法，其中双管芯的Trench MOSFET包括N+衬底层，N+衬底层上设置有N-外延层，N-外延层左上部设置有第一P-body层，N-外延层右上部设置有第二P-body层，第一P-body层和第二P-body层之间为连续的N-外延层，第一P-body层内第一Trench槽，第二P-body层内设置有第二Trench槽，第一Trench槽贯穿第一P-body层，第二Trench槽贯穿第二P-body层，第一Trench槽和第二Trench槽内设置有Poly结构。
双管 trench mosfet 及其加工方法

[发明专利]集成ESD防护的Trench VDMOS器件及制造方法-CN201911043136.X有效
发明人：乔明;何林蓉;周号 -专利权人：珠海迈巨微电子有限责任公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成ESD防护的Trench VDMOS器件及制造方法，包括Trench VDMOS结构和ESD保护结构；Trench VDMOS结构包括元胞区和终端保护区，所述终端保护区采用沟槽结构，包括一个截止环和至少一个分压环，ESD保护结构包括若干个齐纳二极管单元，所述ESD保护结构接在栅极金属和源极金属两端，本发明所述Trench VDMOS通过减小元胞节距、增加源极金属与第一导电类型源极接触的接触面积，减小TrenchVDMOS比导通电阻，且本发明ESD保护结构位于硬掩膜SiO2上与Trench VDMOS单元隔离，并且与Trench VDMOS制造工艺兼容，在不影响器件性能的前提下
集成 esd 防护 trench vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种具有浮空层分裂栅的MOSFET-CN201710100069.5在审
发明人：杨东霓;胡慧雄;顾南雁 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有浮空层分裂栅的MOSFET，包括N+衬底层，N+衬底层上设有N‑外延层，N‑外延层的中间和两侧分别设置有P‑body层，P‑body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，两Trench槽之间为不连续的P‑body层，两Trench槽贯穿P‑body层至N‑外延层上部；每一Trench槽内均充满SiO2层，SiO2层中设有两不连续的Poly结构；每一Trench槽口外侧在P‑body层中围有一圈N‑阱；P‑body层上设有Metal层；两Trench槽内的SiO2满出至Metal层；在N‑外延层中，对应每一Trench槽下方设置有P型浮空层，两P型浮空层不连续。
一种具有浮空层分裂 mosfet

[实用新型]一种具有浮空层分裂栅的MOSFET-CN201720169279.5有效
发明人：杨东霓;胡慧雄;顾南雁 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有浮空层分裂栅的MOSFET，包括N+衬底层，N+衬底层上设有N‑外延层，N‑外延层的中间和两侧分别设置有P‑body层，P‑body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，两Trench槽之间为不连续的P‑body层，两Trench槽贯穿P‑body层至N‑外延层上部；每一Trench槽内均充满SiO2层，SiO2层中设有两不连续的Poly结构；每一Trench槽口外侧在P‑body层中围有一圈N‑阱；P‑body层上设有Metal层；两Trench槽内的SiO2满出至Metal层；在N‑外延层中，对应每一Trench槽下方设置有P型浮空层，两P型浮空层不连续
一种具有浮空层分裂 mosfet

[发明专利]一种沟道型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201210191750.2无效
发明人：方伟 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟道型绝缘栅双极型晶体管（Trench IGBT）和制作该Trench IGBT的方法，该Trench IGBT中采用了肖特基接触结构，降低了自身的导通压降。本发明提供的Trench IGBT为：Trench IGBT包括栅氧化层、Pbody耐压区、N型低掺杂衬底基区、金属化阴极和肖特基接触层；所述肖特基接触层位于栅氧化层和Pbody耐压区之间，并且与N型低掺杂衬底基区和金属化阴极接触制作该Trench IGBT的方法包括：在N型低掺杂衬底基区上形成Pbody耐压区和栅氧化层后，在栅氧化层和Pbody耐压区之间的N型低掺杂衬底基区上形成肖特基接触层；在肖特基接触层上形成金属化阴极。
一种沟道绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法-CN202010313159.4有效
发明人：廖远宝;洪根深;吴建伟;徐政;吴锦波;徐海铭 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，属于半导体功率器件技术领域。在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层，挖出若干个Trench结构；在Trench结构中制作一层氧化层，并填充掺杂N型多晶硅；对Trench结构中多晶硅进行刻蚀，再将有源区Trench结构侧壁的上部分氧化层去除掉；在Trench结构中填充介质，研磨外延片至表面平坦，使氮化硅层和氧化硅处于同一平面；形成保护二极管结构并实现P型掺杂；分离栅底部结构和保护二极管结构；完成栅极引出，阱工艺和源区引出；通过光刻和腐蚀实现通孔引出和金属互联本发明基于目前低功耗分离栅Trench DMOS产品结构，把ESD保护结构集成在栅源两极之间，在满足使用中对功耗要求外，又保证器件性能和可靠性。
一种 esd 保护结构 trench 分离 dmos 器件制作方法

[实用新型]一种半导体功率器件结构-CN201520626991.4有效
发明人：夏超;张琦 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，在传统的横向功率器件Trench LDMOS结构的Trench层中引入多层深度不同的纵向金属场板，同时在漂移区中引入一层重掺杂n型层，在提高器件击穿电压方面，多层长度不等的金属场板可以在漂移区中引入多个新的电场峰值，同时将表面高电场引入体内，避免器件在表面提前击穿；全耗尽后的重掺杂n型层提高了Trench层表面电荷密度，提高了Trench层和漂移区电场，提高器件击穿电压，在降低器件导通电阻方面，深氧Trench层减小了横向漂移区长度
一种半导体功率器件结构

[实用新型]一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件-CN201821457617.6有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N‑Epi区域、P+环区域、trench1区域和trench2区域；其中trench1区域采用SiO2填充作隔离使用，trench2区域采用多晶填充作电连接使用。
本实用新型防护器件互连残压填充多路保护器件电容依次设置由内向外包结构低电容电连接多晶深槽泄放隔离

[发明专利]一种半导体功率器件结构的制备方法及结构-CN201510510844.5有效
发明人：夏超;张琦 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体功率器件结构的制备方法以及结构，在传统的横向功率器件Trench LDMOS结构的Trench层中引入多层深度不同的纵向金属场板，同时在漂移区中引入一层重掺杂n型层。在提高器件击穿电压方面，多层长度不等的金属场板可以在漂移区中引入多个新的电场峰值，同时将表面高电场引入体内，避免器件在表面提前击穿；全耗尽后的重掺杂n型层提高了Trench层表面电荷密度，提高了Trench在降低器件导通电阻方面，深氧Trench层减小了横向漂移区长度。
一种半导体功率器件结构制备方法

[发明专利]一种低压高密度trench DMOS器件制造方法-CN202010327725.7有效
发明人：廖远宝;洪根深;吴建伟;吴锦波;徐政;徐海铭 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种低压高密度trench DMOS器件制造方法，属于半导体功率器件技术领域。trench阵列完成后，不做氧化层的去除，直接做牺牲氧化修复trench阵列内表面损伤。trench阵列中多晶硅表面比硅表面高2000~3000Å。再通过氧化层刻蚀技术，把硅表面氧化层干法刻掉，剩余一定厚度的氧化层作为阱注入阻挡层。本发明利用trench阵列刻蚀中掩蔽氧化层来抬高栅引出位置多晶硅高度，避免多晶硅上孔腐蚀打穿栅多晶，提高产品良率和可靠性；通过优化工艺，降低栅极接触孔打穿栅多晶硅短路问题，从而提高产品良率与可靠性。
一种低压高密度 trench dmos 器件制造方法

[实用新型]一种半导体功率器件版图结构及半导体功率器件-CN201920154220.8有效
发明人：阳平 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体功率器件版图结构，包括dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、发射极金属刻蚀窗口，trench栅极结构刻蚀窗口包括从内到外依次设置的封闭型回字窗口，dummy栅极结构刻蚀窗口包括从内到外依次设置的断开型回字窗口，并且trench栅极结构刻蚀窗口的多个封闭型回字窗口和dummy栅极结构刻蚀窗口的多个断开型回字窗口间隔排列，trench栅极金属刻蚀窗口包括最外围封闭的回字型窗口及位于回字型窗口内部的十字型窗口，发射极金属刻蚀窗口被trench栅极金属刻蚀窗口的十字型窗口分隔为四块相互隔离的窗口。
刻蚀窗口栅极结构半导体功率器件版图结构栅极金属本实用新型发射极金属依次设置封闭型回字型十字型断开窗口间隔电压分布高稳定性漏电流栅电压分隔耐压隔离外围封闭

[发明专利]Trench MOS器件的制造方法及结构-CN201310739288.X在审
发明人：黄晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种Trench MOS器件的制造方法及结构，在栅极和漏极层之间形成一层低K层，降低栅极和漏极层之间的介电常数，从而降低栅极和漏极层之间的电容值，进而提高Trench MOS器件的开启速度，提升Trench MOS器件的整体性能。
trench mos 器件制造方法结构

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